【 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào) 】 GB/T 19444-2004 【 標(biāo)準(zhǔn)名稱 】 硅片氧沉淀特性的測(cè)定—間隙氧含量減少法 【 英文名稱 】 Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction 【 發(fā)布單位 】 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局; 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì) 【 發(fā)布日期 】 2004-2-5 【 實(shí)施日期 】 2004-7-1 【 開本頁(yè)數(shù) 】 5P 【 引用標(biāo)準(zhǔn) 】 GB/T 1557; GB/T 14143; GB/T 14144 【 采用關(guān)系 】 IDT ASTMF1239:1994 【 起草單位 】 洛陽(yáng)單晶硅有限責(zé)任公司; 中國(guó)有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所 【 起 草 人 】 蔣建國(guó); 屠妹英; 賀東江; 章云杰
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2008-9-16 21:44 上傳
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