SJ 20060-92半導(dǎo)體分立器件3DG120型NPN硅高頻小功率晶體管

【 標(biāo)準(zhǔn)編號(hào) 】 SJ 20060-92
【 標(biāo)準(zhǔn)名稱(chēng) 】 半導(dǎo)體分立器件3DG120型NPN硅高頻小功率晶體管詳細(xì)規(guī)范  
【 英文名稱(chēng) 】 Semiconductor discrete device Detail specification for silicon NPN high-frequency low-power transistor of type 3DG120
【 發(fā)布單位 】 中國(guó)電子工業(yè)總公司
【 發(fā)布日期 】 1992-11-19
【 實(shí)施日期 】 1993-5-1
【 開(kāi)本頁(yè)數(shù) 】 9P
【 引用標(biāo)準(zhǔn) 】 GB 4587-84; GB 7581-87; GJB 33-85; GJB 128-86
【 起草單位 】 中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所; 石家莊無(wú)線(xiàn)電二廠(chǎng)
【 起 草 人 】 王長(zhǎng)福; 謝佩蘭; 王承琳