晶圓級薄膜厚度標準片校準規(guī)范征求意見稿

晶圓級薄膜厚度標準片（以下簡稱膜厚標準片）指以硅晶圓片為基底，采用化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）以及原子層沉積（ALD）等方法生長出微納米量級的單層二氧化硅薄膜，主要被測參數(shù)為薄膜厚度，晶圓級薄膜厚度標準片是集成電路產(chǎn)線質(zhì)控的必要器件。
激光橢偏方法是目前集成電路通用的晶圓級薄膜厚度的校準方法，能夠準確的測量厚度范圍（1~1000）nm的薄膜，激光橢偏測量院里如圖2所示，其可測量的參數(shù)包括薄膜厚度、折射率等。